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氣相沉積爐概述：CVD化學氣相沉積爐是用于制備碳碳復合材料，完成CVD氣相沉積工藝的重要工藝裝備。
1)設計溫度：1250℃/1650℃/1800℃/2200℃
2)常用溫度：900~1200℃
3)真空度：＜50Pa
4)壓升率：空爐冷態(tài)6.67Pa/h(或150Pa/24h)
5)加熱方式：石墨電阻加熱或感應加熱
6)氣氛介質：氮氣、丙烯、乙炔、氫氣
7)控氣方式：質量流量計控制
8)爐型：方形、圓形、立式或臥式結構（非標設計）
9)其它介質：爐殼冷水
